| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 0100032304 |
| 005 | 20111018143512.0 |
| 010 | $a: 7-121-00863-7$d: CNY53.00 |
| 100 | $a: 20050311d2005 em y0chiy0110 ea |
| 101 | $c: eng$a: chi |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: y z 001zy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 半导体物理与器件$9: ban dao ti wu li yu qi jian$d: = Semiconductor Physics and Devices Basic Principles$f: (美)Donald A.Neamen著$g: 赵毅强，姚素英，解晓东译$z: eng |
| 210 | $a: 北京$c: 电子工业出版社$d: 2005.2 |
| 215 | $a: 16,524页$d: 26cm |
| 225 | $a: 国外电子与通信教材系列 |
| 300 | $a: 书名原文：Semiconductor Physics and Devices Basic Principles，Third Edition |
| 305 | $a: 据原书第三版译出 |
| 306 | $a: 与美国麦格劳-希尔教育出版（亚洲）公司合作出版 |
| 320 | $a: 有索引 |
| 330 | $a: 本书首先介绍了基础物理，包括固体晶格结构、量子力学和固体物理，然后介绍了半导体材料物理，主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象，并且还介绍了半导体器件物理，主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双体晶体管、MOS场效应晶体管等，最后论述了光子器件和功率半导体器件。 |
| 410 | $a: 国外电子与通信教材系列 |
| 510 | $a: Semiconductor Physics and Devices Basic Principles$z: eng |
| 606 | $a: 半导体器件$j: 教材 |
| 690 | $a: O47-43$v: 4 |
| 701 | $c: (美)$a: Neamen$b: Donald A.$4: 著 |
| 702 | $a: 解晓东$9: xie xiao dong$4: 译 |
| 801 | $a: CN$b: XIPT$c: 20050624 |
| 905 | $a: XIPT$b: 01494752-53$d: O47-43$r: CNY53.00$e: 1 |
| 999 | $a: acq0$b: 2$e: 20050154 |
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